模拟电路二：
1. 实际工作中选用三极管时，要求三极管的反向饱和电流和穿透电流尽可能（ ），这两个反向电流的值越（ ），表明三极管的质量越（ D）。
A. 大 大 高
B. 小 小 低
C. 大 大 低
D. 小 小 高
满分：4 分
2. 题面见图片B
A.
B.
C.
D.
满分：4 分
3. 当温度升高时，二极管的反向饱和电流将（C ）。
A. 增大
B. 不变
C. 减小
满分：4 分
4. 欲将电压信号转换成与之成比例的电流信号，应在放大电路中引入（ C）。
A. 电压串联负反馈
B. 电压并联负反馈
C. 电流串联负反馈
D. 电流并联负反馈
满分：4 分
5. 二极管外加正向电压VD=0.6V 流过二极管电流为120mA，则二极管的正向直流电阻RD是（D ）
A. 26Ω
B. 15Ω
C. 10Ω
D. 5Ω
满分：4 分
6. 稳定放大电路的放大倍数（增益），应引入（B ）。
A. 直流负反馈
B. 交流负反馈
C. 正反馈
满分：4 分
7. 一三极管三个极的对地电位分别是-6V，-3V，-3.2V，则该管是（ D）
A. PNP硅管
B. NPN锗管
C. NPN硅管
D. PNP锗管
满分：4 分
8. 二极管加正向电压时，其正向是由（B ）。
A. 多数载流子扩散形成
B. 多数载流子漂移形成
C. 少数载流子漂移形成
满分：4 分
9. 在（B ）三极管的发射结正向偏置，集电结反向偏置，输出特性曲线比较平坦，近似为水平的直线。
A. 截止区
B. 放大区
C. 饱和区
满分：4 分
10. 欲得到电流－电压转换电路，应在放大电路中引入（ B）。
A. 电压串联负反馈
B. 电压并联负反馈
C. 电流串联负反馈
D. 电流并联负反馈
满分：4 分
11. 在本征半导体中加入（A ）元素可形成N型半导体。
A. 五价
B. 四价
C. 三价
满分：4 分
12. 在乙类互补对称功放电路中，设管子的饱和压降UCES=0V，若要求输出最大功率为20W，则要求每个功放管的额定管耗至少大于（B）
A. 20W
B. 4W
C. 2W
D. 1W
满分：4 分
13. 如图所示的频率特性，则其通频带为（C ）
A. 15KHz
B. 800KHz
C. 14.2 KHz
D. 15.8KHz
满分：4 分
14. 双极型三极管有两种类型：NPN型和PNP型，无论何种类型，内部均包含（ ）PN结，并引出（ B）电极。
A. 一个 两个
B. 两个 三个
C. 两个 两个
D. 三个 两个
满分：4 分
15. 射随器适合作多级放大电路的输出级，是因为它的（ C）.
A. 电压放大倍数近似为1
B. ri 很大
C. ro很小
满分：4 分
16. 用直流电压表测得放大电路中的三极管的三个电极电位分别是U1=2.8V ,U2=2.1V ,U3=7V , 那么U3=7V的那个极是（ A）.
A. 发射极
B. 基极
C. 集电极
满分：4 分
17. 差分放大电路中，当vi1=300mV，vi2=280mV，AVD=100，AVC=1时，输出电压为（D）
A. 580mV
B. 1.71V
C. 2V
D. 2.29V
满分：4 分
18. 对于硅晶体管来说其死区电压约为( B)
A. 0.1
B. 0.5
C. 0.7
满分：4 分
19. 当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为（B ）。
A. 前者反偏、后者也反偏
B. 前者正偏、后者反偏
C. 前者正偏、后者也正偏
满分：4 分
20. 设乙类互补功放电路的电源电压为正负12V，负载电路RL=8欧，UCES=0V，则对每个功率管的要求为（D）
A. 管耗PCM=9W,耐压UBR（CEO）=12V
B. 管耗PCM=1.8W,耐压UBR（CEO）=12V
C. 管耗PCM=9W,耐压UBR（CEO）=24V
D. 管耗PCM=1.8W,耐压UBR（CEO）=24V
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