西电《模拟电子技术基础》13春在线作业
试卷总分:100
单选题
一、单选题(共 25 道试题,共 100 分。)
V
1. 三极管三端对地电位分别为:3.3V,3V,15V,则该管为()
A. 硅NPN
B. 锗NPN
C. 硅PNP
D. 锗PNP
满分:4 分
2. 稳压管构成的稳压电路,其接法是()。
A. 稳压二极管与负载电阻串联
B. 稳压二极管与负载电阻并联。
C. 限流电阻与稳压二极管串联后,负载电阻再与稳压二极管并联
D. 限流电阻与稳压二极管并联后,负载电阻再与稳压二极管并联
满分:4 分
3. 两个β相同的晶体管组成复合管后,其电流放大系数约为()。
A. β
B. β2
C. 2β
D. 1+β
满分:4 分
4. 某放大电路中,测得三极管三个极静态电位分别为7V,2.7V,2V,则这只三极管是()
A. NPN型的硅管
B. NPN型的锗管
C. PNP型的硅管
D. PNP型的锗管
满分:4 分
5. 二极管两端电压大于电压时,()二极管才导通。
A. 击穿电压
B. 死区
C. 饱和
D. 夹断电压
满分:4 分
6. 需要一个阻抗变换电路,要求ri大,ro小,应选用()负反馈电路。
A. 并联电压
B. 并联电流
C. 串联电压
D. 串联电流
满分:4 分
7. 集成运算放大电路非线性应用时输出有()个状态。
A. 两个
B. 一个
C. 多个
D. 三个
满分:4 分
8. 工作在线性区的运算放大器应置于( )状态。
A. 深度反馈
B. 开环
C. 闭环
D. 说不清楚
满分:4 分
9. P型半导体是在本征半导体中加入()物质后形成的
A. 电子
B. 空穴
C. 三价硼元素
D. 五价磷元素
满分:4 分
10. 引入并联负反馈,可使放大器的( )。
A. 输出电压稳定
B. 反馈环内输入电阻增加
C. 反馈环内输入电阻减小
D. 输出电流稳定
满分:4 分
11. 串联电压负反馈稳定()放大倍数
A. 电流
B. 互阻
C. 互导
D. 电压
此题选: D 满分:4 分
12. 三极管的反向电流ICBO是由()组成的。
A. 多数载流子
B. 少数载流子
C. 多数载流子和少数载流子
D. 带电离子
满分:4 分
13. 当NPN型晶体管工作在放大区时,各极电位关系为uCuB()uBuE
A. 大于,大于
B. 大于,小于
C. 小于,小于
D. 小于,大于
满分:4 分
14. 为了稳定静态工作点,则需要的反馈是( )。
A. 电流串联负反馈
B. 电流并联负反馈
C. 电压串联负反馈
D. 直流负反馈
此题选: D 满分:4 分
15. 在三极管放大电路中,若Q点设置得过低,则容易产生()失真。
A. 截止
B. 饱和
C. 频率
D. 电源
满分:4 分
16. PN结加正向电压时,其正向电流是由()的。
A. 多数载流子扩散而成
B. 多数载流子漂移而成
C. 少数载流子扩散而成
D. 少数载流子漂移而成
满分:4 分
17. 稳压二极管是利用PN结的()特性进行稳压的。
A. 正向导通
B. 反向截止
C. 反向击穿
D. 电容效应
满分:4 分
18. 差分放大电路是为了()而设置的。
A. 稳定Au
B. 放大信号
C. 抑制零点漂移
D. 稳定Ai
满分:4 分
19. 工作于放大区的三极管,当IB从20μA增加到40μA时,IC从1mA变成2mA,则它的β约为()
A. 50
B. 100
C. 200
D. 20
满分:4 分
20. 场效应管的工作原理是()
A. 栅源电压控制漏极电流
B. 栅源电压控制漏极电压
C. 栅极电流控制漏极电流
D. 栅极电流控制漏极电压
满分:4 分
21. 直接耦合放大器的低频特性比阻容耦合放大器的( )。
A. 好
B. 差
C. 相同
D. 说不清楚
满分:4 分
22. 在三极管放大电路中,输出电压与输入电压相位相反的是()
A. CE放大电路
B. CB放大电路
C. CC放大电路
D. 无法确定
满分:4 分
23. 杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于()。
A. 杂质浓度
B. 温度
C. 输入
D. 电压
满分:4 分
24. 集成运算放大电路中,U+=U-=0,被称为()
A. 虚断
B. 虚短
C. 虚地
D. 虚零
满分:4 分
25. 射极跟随器具有( )特点。
A. 电流放大倍数小
B. 电压放大倍数高
C. 输出输入反相
D. 电压放大倍数近似于1且小于1输入电阻高,输出电阻低
此题选: D 满分:4 分
试卷总分:100
单选题
一、单选题(共 25 道试题,共 100 分。)
V
1. 三极管三端对地电位分别为:3.3V,3V,15V,则该管为()
A. 硅NPN
B. 锗NPN
C. 硅PNP
D. 锗PNP
满分:4 分
2. 稳压管构成的稳压电路,其接法是()。
A. 稳压二极管与负载电阻串联
B. 稳压二极管与负载电阻并联。
C. 限流电阻与稳压二极管串联后,负载电阻再与稳压二极管并联
D. 限流电阻与稳压二极管并联后,负载电阻再与稳压二极管并联
满分:4 分
3. 两个β相同的晶体管组成复合管后,其电流放大系数约为()。
A. β
B. β2
C. 2β
D. 1+β
满分:4 分
4. 某放大电路中,测得三极管三个极静态电位分别为7V,2.7V,2V,则这只三极管是()
A. NPN型的硅管
B. NPN型的锗管
C. PNP型的硅管
D. PNP型的锗管
满分:4 分
5. 二极管两端电压大于电压时,()二极管才导通。
A. 击穿电压
B. 死区
C. 饱和
D. 夹断电压
满分:4 分
6. 需要一个阻抗变换电路,要求ri大,ro小,应选用()负反馈电路。
A. 并联电压
B. 并联电流
C. 串联电压
D. 串联电流
满分:4 分
7. 集成运算放大电路非线性应用时输出有()个状态。
A. 两个
B. 一个
C. 多个
D. 三个
满分:4 分
8. 工作在线性区的运算放大器应置于( )状态。
A. 深度反馈
B. 开环
C. 闭环
D. 说不清楚
满分:4 分
9. P型半导体是在本征半导体中加入()物质后形成的
A. 电子
B. 空穴
C. 三价硼元素
D. 五价磷元素
满分:4 分
10. 引入并联负反馈,可使放大器的( )。
A. 输出电压稳定
B. 反馈环内输入电阻增加
C. 反馈环内输入电阻减小
D. 输出电流稳定
满分:4 分
11. 串联电压负反馈稳定()放大倍数
A. 电流
B. 互阻
C. 互导
D. 电压
此题选: D 满分:4 分
12. 三极管的反向电流ICBO是由()组成的。
A. 多数载流子
B. 少数载流子
C. 多数载流子和少数载流子
D. 带电离子
满分:4 分
13. 当NPN型晶体管工作在放大区时,各极电位关系为uCuB()uBuE
A. 大于,大于
B. 大于,小于
C. 小于,小于
D. 小于,大于
满分:4 分
14. 为了稳定静态工作点,则需要的反馈是( )。
A. 电流串联负反馈
B. 电流并联负反馈
C. 电压串联负反馈
D. 直流负反馈
此题选: D 满分:4 分
15. 在三极管放大电路中,若Q点设置得过低,则容易产生()失真。
A. 截止
B. 饱和
C. 频率
D. 电源
满分:4 分
16. PN结加正向电压时,其正向电流是由()的。
A. 多数载流子扩散而成
B. 多数载流子漂移而成
C. 少数载流子扩散而成
D. 少数载流子漂移而成
满分:4 分
17. 稳压二极管是利用PN结的()特性进行稳压的。
A. 正向导通
B. 反向截止
C. 反向击穿
D. 电容效应
满分:4 分
18. 差分放大电路是为了()而设置的。
A. 稳定Au
B. 放大信号
C. 抑制零点漂移
D. 稳定Ai
满分:4 分
19. 工作于放大区的三极管,当IB从20μA增加到40μA时,IC从1mA变成2mA,则它的β约为()
A. 50
B. 100
C. 200
D. 20
满分:4 分
20. 场效应管的工作原理是()
A. 栅源电压控制漏极电流
B. 栅源电压控制漏极电压
C. 栅极电流控制漏极电流
D. 栅极电流控制漏极电压
满分:4 分
21. 直接耦合放大器的低频特性比阻容耦合放大器的( )。
A. 好
B. 差
C. 相同
D. 说不清楚
满分:4 分
22. 在三极管放大电路中,输出电压与输入电压相位相反的是()
A. CE放大电路
B. CB放大电路
C. CC放大电路
D. 无法确定
满分:4 分
23. 杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于()。
A. 杂质浓度
B. 温度
C. 输入
D. 电压
满分:4 分
24. 集成运算放大电路中,U+=U-=0,被称为()
A. 虚断
B. 虚短
C. 虚地
D. 虚零
满分:4 分
25. 射极跟随器具有( )特点。
A. 电流放大倍数小
B. 电压放大倍数高
C. 输出输入反相
D. 电压放大倍数近似于1且小于1输入电阻高,输出电阻低
此题选: D 满分:4 分
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